Растровый электронный микроскоп JSM-6380LV JEOL с системой микроанализа INCA 250

Вход/регистрация

Вход

Забыли пароль?

Регистрация

Название

Фирма-изготовитель

Страна-изготовитель

Год выпуска

Описание

Многоцелевой сканирующий (растровый) микроскоп JSM-6380LV &ndash; удобный, простой в управлении, исключительно надежный прибор для рутинных работ с компьютерным контролем и превосходными техническими характеристиками. Модель микроскопа сочетает в себе возможности работы как в стандартном, так и в LV режимах.

ВОЗМОЖНОСТИ ПРИБОРА, МЕТОДИКИ:

<ol>
	<li style="text-align:justify">Получение изображения морфологии поверхности проводящих и непроводящих материалов с нанометровым разрешением.</li>
	<li style="text-align:justify">Определение толщины покрытий, толщин слоев в планарных образцах.</li>
	<li style="text-align:justify">Определение размеров частиц и морфологии поверхности проводящих и непроводящих порошков.</li>
	<li style="text-align:justify">Элементный анализ проводящих и диэлектрических материалов с использованием энергодисперсионной приставки-спектрометра c пространственным разрешением ~1 мкМ. Возможности: выбор массива точек на изображении для последующего автоматического анализа состава, система &rdquo;Cameo&rdquo; для визуализации различий фаз по химическому составу методом цветового кодирования энергетического спектра в каждой точке изображения, построение карт распределения фаз.</li>
</ol>

Особенности: Низковакуумный режим работы позволяет исследовать образцы без напыления токопроводящим слоем, в том числе образцы металлов, керамики, полимеров и композитов, в т.ч. образцы эмульсий частиц абразивного износа в смазочном масле, отработанные масляные фильтры, лакокрасочные покрытия и пр. образцы, которые не могут исследоваться в обычных высоковакуумных камерах электронных микроскопов.

Технические характеристики:

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" style="width:100%">
	<tbody>
		<tr>
			<td style="width:33.34%">
			<h2>Наименование параметра</h2>
			</td>
			<td style="width:66.66%">
			<h2>Значение параметра</h2>
			</td>
		</tr>
		<tr>
			<td style="width:33.34%">
			Разрешение в высоковакуумном режиме
			</td>
			<td style="width:66.66%">
			3,0 нм при 30кВ
			</td>
		</tr>
		<tr>
			<td style="width:33.34%">
			Разрешение в низковакуумном режиме
			</td>
			<td style="width:66.66%">
			4,0 нм при 30кВ
			</td>
		</tr>
		<tr>
			<td style="width:33.34%">
			Тип источника электронов
			</td>
			<td style="width:66.66%">
			W - катод
			</td>
		</tr>
		<tr>
			<td style="width:33.34%">
			Ускоряющее напряжение
			</td>
			<td style="width:66.66%">
			500 В - 30 кВ
			</td>
		</tr>
		<tr>
			<td style="width:33.34%">
			Увеличение
			</td>
			<td style="width:66.66%">
			х5 &ndash; x300 000
			</td>
		</tr>
		<tr>
			<td style="width:33.34%">
			Режимы регистрации изображений
			</td>
			<td style="width:66.66%">
			Вторичные электроны (SEI), Обратнорассеянные (BEI &ndash; изображение в режиме топографического, композиционного и полутеневого контраста) &nbsp;
			</td>
		</tr>
		<tr>
			<td style="width:33.34%">
			Столик для образцов
			</td>
			<td style="width:66.66%">
			эвцентрический 5-ти осевой: перемещение по оси Х 125мм, Y: 100мм; Z: от 5 до 80мм; наклон: от &ndash;10 до +90&deg;, вращение 360&deg;
			</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

&nbsp;

Активно или нет

О центре