Toggle navigation
Главная
Услуги
Документы
Оборудование
УНУ РСМ-500
Для сотрудников и аспирантов ВГУ
Для сторонних организаций
Контакты
Главная
Оборудование
Растровый электронный микроскоп JSM-6510LV
Редактировать
Вход/регистрация
Вход
Забыли пароль?
Регистрация
Название
Фирма-изготовитель
Страна-изготовитель
Год выпуска
Описание
<p style="margin-left:18.0pt"><strong>Растровый электронный микроскоп JSM-6510LV JEOL с системой микроанализа Bruker XFlash 5010.</strong></p> <p style="margin-left: 18pt; text-align: center;"><img alt="" src="https://image.ibb.co/igQtgb/image.jpg" style="height:490px; width:599px" /></p> <p style="margin-left: 18pt; text-align: justify;"><span style="font-size:12px">Микроскоп JSM-6510LV JEOL - компактный многоцелевой РЭМ с предельной простотой управления и высоким качеством оптики. Создан для удовлетворения запросов как самых взыскательных исследователей, так и инженеров, использующих сканирующий электронный микроскоп в качестве средства контроля. Все возможности инструмента доступны даже начинающим пользователям.</span></p> <p style="margin-left:18.0pt"><strong>ВОЗМОЖНОСТИ ПРИБОРА, МЕТОДИКИ:</strong></p> <ol> <li>Получение изображения морфологии поверхности проводящих и непроводящих материалов с нанометровым разрешением.</li> <li>Определение толщины покрытий, толщин слоев в планарных образцах.</li> <li>Определение размеров частиц и морфологии поверхности проводящих и непроводящих порошков.</li> <li>Элементный анализ проводящих и диэлектрических материалов с использованием энергодисперсионной приставки-спектрометра c пространственным разрешением ~1 мкМ. Возможности: выбор массива точек на изображении для последующего автоматического анализа состава, система ”Cameo” для визуализации различий фаз по химическому составу методом цветового кодирования энергетического спектра в каждой точке изображения, построение карт распределения фаз.</li> </ol> <p><strong>Технические характеристики:</strong></p> <table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" style="width:100%"> <tbody> <tr> <td style="width:33.34%"> <h2><span style="font-size:12px"><span style="font-family:arial,helvetica,sans-serif">Наименование параметра</span></span></h2> </td> <td style="width:66.66%"> <h2><span style="font-size:12px"><span style="font-family:arial,helvetica,sans-serif">Значение параметра</span></span></h2> </td> </tr> <tr> <td style="width:33.34%"> <p>Разрешение в высоковакуумном режиме</p> </td> <td style="width:66.66%"> <p>3,0 нм c использовании вольфрамового катода (при 30 кВ) <br /> 8 нм (при 3 кВ), <br /> 15 нм (при 1 кВ)</p> </td> </tr> <tr> <td style="width:33.34%"> <p>Разрешение в низковакуумном режиме</p> </td> <td style="width:66.66%"> <p>4,0 нм (при 30 кВ)</p> </td> </tr> <tr> <td style="width:33.34%"> <p>Тип источника электронов</p> </td> <td style="width:66.66%"> <p>W - катод</p> </td> </tr> <tr> <td style="width:33.34%"> <p>Ускоряющее напряжение</p> </td> <td style="width:66.66%"> <p>500 В - 30 кВ</p> </td> </tr> <tr> <td style="width:33.34%"> <p>Увеличение</p> </td> <td style="width:66.66%"> <p>х5 – x300 000 (в пересчете на площадь фотопластины 120 мм х 90 мм)</p> </td> </tr> </tbody> </table> <p style="margin-left:18.0pt"> </p> <p style="margin-left:18.0pt"> </p>
Активно или нет
Сохранить
О центре
Общая информация
Приоритетные направления работы
Функции центра
Внешние связи
Метрологическое обеспечение
Результаты работы Центра. Благодарности
Отзывы
График загрузки оборудования
Перечень методик